Chagua nchi yako au mkoa.

Close
Weka sahihi Jisajili E-mail:Info@infinite-electronic.hk
0 Item(s)

ON inaongeza kwa MOSFET ya SiC

ON Semiconductor imeanzisha MOSFET mbili za SiC zinazozingatia EVs, maombi ya jua na UPS.

Daraja la viwanda la NTHL080N120SC1 na AEC-Q101 daraja la NVHL080N120SC1 linaongezewa na  SiC diodes na Madereva ya SiC, zana za simulation za kifaa, mifano ya SPICE na maelezo ya programu.

ONO ya 1200 volt (V), 80 milliohm (mΩ), MOSFET SiC hupunguza kiwango cha chini cha sasa, diode ya ndani ya haraka na malipo ya chini ya kupona, ambayo inatoa kupunguza kasi ya kupoteza nguvu na inasaidia operesheni ya juu ya mzunguko na wiani mkubwa, na Eoni ya chini na Eoff / haraka kugeuka na OFF pamoja na voltage chini mbele kupunguza jumla ya hasara ya nguvu na hivyo mahitaji ya baridi.


Kifaa cha chini cha kifaa kinasaidia uwezo wa kubadili kwenye masafa ya juu sana ambayo hupunguza masuala ya EMI yenye matatizo; Wakati huo huo, upungufu wa juu, uwezo wa uharibifu, na ustadi dhidi ya mzunguko mfupi huongeza ukubwa wa jumla, hutoa uaminifu bora na muda mrefu zaidi wa kuishi.

Faida zaidi ya vifaa vya SiC MOSFET ni muundo wa kukomesha ambao unaongeza kwa kuaminika na ukali na huongeza utulivu wa uendeshaji.

NVHL080N120SC1 imetengenezwa ili kukabiliana na mikondo ya kuongezeka ya juu na inatoa uwezo mkubwa wa uharibifu na ustadi dhidi ya nyaya ndogo.

Ufuatiliaji wa AEC-Q101 wa MOSFET pamoja na vifaa vingine vya SiC hutolewa, kuhakikisha kuwa yanaweza kutumika kikamilifu idadi ya maombi ya ndani ya gari yanayotokana na kuongezeka kwa maudhui ya elektroniki na umeme wa nguvutrains.

Upeo wa kiwango cha juu cha uendeshaji wa 175 ° C huimarisha ufanisi kwa matumizi katika miundo ya magari na vilevile matumizi mengine ya lengo ambalo viwango vya juu vya wiani na nafasi vinasukuma joto la kawaida la kawaida.